1200 V、8 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二极管运用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管下降体系尺度、分量和冷却要求。这些二极管供给极快的开关、零正向和反向恢复以及高频操作。针对高频电力电子运用进行了优化，包含电动汽车 (EV) 充电、商用车、太阳能体系、电源转换器、开关形式电源 (SMPS)、

  Wolfspeed 的 CGD1700HB2M-UNA 是一款半桥栅极驱动器板，用于评价 Wolfspeed C3M SiC MOSFET 和模块。该板可与 Wolfspeed CIL 板或评价套件结合运用。该板包含具有欠压维护和反极性维护的 2W 电源。两个栅极驱动通道均具有过流维护、有源米勒钳位以及独立的敞开和封闭栅极电阻器，可轻松调理开关速度。该板包

  具有 SiC MOSFET 的 2.2 kW 高效（80+ 钛）无桥图腾柱 PFC 根据 Wolfspeed 最新 (C3M™) 650 V 60 mΩ SiC MOSFET 的 2.2 kW 无桥图腾柱 PFC 拓扑的高效、低成本解决方案在所有负载条件下，功率

  高功率 RF LDMOS FET 240 W；48V；746 – 821 兆赫PTVA082407NF 是一款 240 瓦 LDMOS FET，选用 Wolfspeed 的 48V LDMOS 工艺制作。它规划用于多规范蜂窝功率放大器运用。它选用单端规划和输入匹配，答应运用 746 MHz 至 821 MHz。选用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制作；

  高功率 RF GaN on SiC HEMT 900 W，48 V，758 – 960 MHzGTRB097152FC 是一款 900 瓦 (P4dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，规划用于多规范蜂窝功率放大器运用。它具有高功率和带无耳法兰的耐热增强型封装。 特征典型脉冲 CW 功能，960 MHz，48 V，10 μs 脉冲宽

  100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40100；选用 50 伏电压轨运转；供给通用用处；适用于各种射频和微波运用的宽带解决方案。GaN HEMT 功率高；高增益和宽带宽才能；使 CGHV

  30瓦；8.0 - 11.0 GHz；氮化镓MMIC；功率放大器Wolfspeed 的 CMPA801B030 系列 X 波段 MMIC 放大器在 7.9 – 11 GHz 频率范围内运转，支撑卫星通信以及民用和国防相关雷达运用。发生 40W 的典型输出功率；具有

  20dB的大信号增益和40%的功率附加功率；该产品系列在各种平台上供给高功能，运用户能灵敏地

  100-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配；GaN HEMT 功率放大器 Wolfspeed 的 CGHV96100F2 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技能比较，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 具有十分超卓的功率附加功率。与硅或砷化镓比较，GaN具有更优越的功能；包含更高

  CHA8254-99F 是一款三级 GaN Doherty 功率放大器，频段为 17.3 20.3GHz。该 DPA 一般供给 10W 的输出功率，功率附加功率为 31%。得益于 Doherty 架构，它还在 6dB 的输入回退下供给 27% 的功率附加功率。小信号增益到达29dB以上。全体供电电压为15V/225mA（静态电流）。得益于低漏极电压偏置，CH

  CHA6652-98F 是一款三级单片 GaAs 高功率放大器电路，可发生 2W 输出功率。它在输出端集成了差模功率检测器。因为栅极电压，可完成高达 15dB 的增益操控。它是通过现场验证的点对点电信体系解决方案。该电路具有高线性度，并与上一代数字预失真兼容。其多功能偏置条件有助于调整功能。该电路采纳内部 pHEMT 空间评价工艺制作，栅极长度为 0.15μ